Арсенид Галлия GaAs

ООО "МакроОптика" занимается выращиванием, производством и реализацией Арсенид Галлия GaAs.

В ООО "МакроОптика" налажено серийное производство монокристаллов арсенида галлия (GaAs), в том числе по спецификации заказчика.

ООО "МакроОптика" изготавливает заготовки, линзы, окна, светоделители, призмы, клинья, цилиндрические линзы и других оптических элементов по индивидуальным спецификации заказчика для работы в ИК-оптических системах, непрерывных CO2 лазеров средней и высокой мощности. Монокристаллы арсенида галлия GaAs предназначены для использования в производстве дискретных приборов и интегральных схем СВЧ-диапазона, дискретных и матричных фотоприемников, светодиодов, фотокатодов, преобразователей солнечной энергии, детекторов ионизирующих излучений, оптических изделий для ввода-вывода, фокусировки и модуляции ИК-излучения и др.

Арсенид галлия GaAs выращивается методом Чохральского (OCz-Si) и методом зонной плавки (FZ-Si).

Арсенид Галлия GaAs наиболее полезен в тех областях оптики, где важны прочность и долговечность. В частности благодаря его твердости и жесткости, арсенид галлия используется в системах, где пылевые или абразивные частицы бомбардируют оптические поверхности. Когда необходима частая протирка или очистка оптической поверхности, арсенид галлия является наиболее подходящим материалом. Материал не гигроскопичен, безопасен при использовании как в лаборатории, так и в полевых условиях, химически устойчив в любых средах за исключением сильных кислот.

Максимальные размеры кристаллов AgAs, используемых для изготовления оптики: Ø 125x 100 мм.

Физические свойства

Температурный коэффициент линейного расширения at, оС-1 в интервале 0-30оС 5.39•10-6
Теплопроводность, Вт/(м • оС) при 25 оС 46.05
Удельная теплоемкость, Дж/(кг • оС) 350
Температура плавления, оС 1238

Механические свойства

Плотность, при 25оС, г/см3 5,316
Твердость по Моосу 4,5
Микротвердость, Па 6.9•109
Модуль упругости Е, Па 8.5•1010

Типы проводимости

Тип проводимости n-тип p-тип
Способ выращивания / легирующая примесь Метод Чохральского/Si Метод Чохральского/Te Метод Чохральского/Zn
Концентрация носителей (см-3) (0.5÷2) x 1018 (2÷4) x 1018 (0.5÷4) x 1018 (1÷5) x 1019
Удельное сопротивление (Ω x см) (0.8÷3) x 10-3 (1,1÷2,3) x 10-3 (1÷5) x 10-3 (2.2÷8) x 10-3
Подвижность(см/В x сек) (1.4÷2.9) x 103 (1.1÷2.0) x 103 (1.2÷3) x 103 50-90
Средняя плотность дислокаций (см-2) ≤5 x 104 ≤2 x 104 ≤5 x 104 ≤1 x 105 ≤1 x 105
Диаметр (мм) 50.8±0.2 76.2±0.2 50.8±0.2
Базовый срез (мм) 15.9±1.5 22.2±2.0 15.9±1.5
Вспомогательный базовый срез (мм) 8.0±1.5 11.2±1.5 8.0±1.5
Ориентация базового среза стандарт US/EJ
Ориентация вторичного среза стандарт US/EJ
Стандартная толщина* (мкм) с 450±20 350±20
Ориентация
(100)
По требованию покупателя, разориентация 0-5º к любой плоскости
(100) (100)/(111)
Качество поверхности
рабочая поверхность - эпи-полировка
нерабочая поверхность - после резки/полированная
Прогиб
<10 <15 <10
TTV
<10 <15 <10

Возможна поставка монокристаллов с параметрами, отличающимися от указанных в таблице.